易達通科技2019年成立，為IDM新創企業，具備GaN（氮化鎵）元件設計能力，由旗下4吋晶圓foundry廠威力富生產GaN on SiC射頻元件以及GaN on Si與GaN on Sapphire功率元件，推出多款GaN功率IC。

易達通在RF元件與穩懋合作，以GaAs製程技術投入Wi-Fi 7及5G小基站、低軌衛星及毫米波28 GHz射頻元件。研發團隊更以GaN on SiC先進製程技術，設計製造48V/50W 20MHz~2GHz及 2~6GHz GaN HEMT、5W~20W之X band PA MMIC、Switch、Phase Shifter，攜手威力富與國內廠商，驗證國內產製之SiC（HPSI）基板及Epi技術，推動發展國產高頻、高功率GaN RF晶片元件，落實RU系統核心晶片落地生根，建立關鍵PA晶片國產化能力，滿足國內商用與軍工產業需求，降低國際政經變動不利因素，確保國內關鍵PA晶片的自主性，建立國內應用實績，進而積極推進國際市場。

易達通自主發100W 80% L-Band GaN PA

易達通的X band PA使用先進GaN on SiC製程，用於軍工雷達，已完成設計進入測試階段，助力國防發展。也將與前端模組（FEM）業者合作，針對台灣布建發展低軌衛星及5G小基站，推出所需的RF功率放大器，透過中華電信5G電信設施，將RU對接到易利信及諾基亞等一線大廠，開拓出海口，行銷全球。

Power功率元件方面，易達通成功開發耐壓650V / 60mΩ D-mode ( 耗盡型）GaN HEMT，配合領先全球、研發獨創之直接驅動IC，將開關損耗降至最低；也致力開發1,200V/1,700V高耐壓、高頻、高功率元件。易達通董事長林仕國引領易達通從設計、製造階段，轉型為氮化鎵元件品牌公司，專注利基市場，進行功率元件產學合作，讓學校利用氮化鎵優越的元件特性（高耐壓、高頻、高功率），設計相關應用產品，也將與有意願廠商合作開發Converter、Inverter產品。

易達通的1,200V及1,700V GaN HEMT獲得科管局2年學研計畫補助，與中興大學特聘教授賴慶明合作開發電磁爐電源供應器，朝向功率元件新型態應用方向邁進。未來除了致力於RF功率放大器及功率元件研發，更將結合系統廠商，吸收LED業界的人才及廠房設備，轉化為GaN元件生產基地，開發相關應用，成為國內氮化鎵業的標竿。